Ingénieur en puces semi-conductrices de puissance R&D 80 – 100 % (h/f/d)

L'opportunité
 

Dans nos groupes de puces semi-conductrices BiMOS R&D chez Hitachi Energy Semiconductors, nous développons des dispositifs semi-conducteurs de puissance avancés couvrant plusieurs classes de tension. Nos produits de haute qualité sont fabriqués sur des sites de production internes et externes et livrés aux clients du monde entier dans un large éventail d'applications, notamment industrielles, énergies renouvelables, traction et mobilité électrique.

Nous recherchons actuellement un spécialiste motivé des puces semi-conductrices R&D pour contribuer au développement des technologies semi-conductrices de puissance de nouvelle génération. Dans ce rôle, vous vous concentrerez sur les dispositifs à base de silicium (avec une forte exposition aux diodes de puissance) tout en élargissant vos compétences vers des concepts de dispositifs plus larges tels que les IGBT et les MOSFET.

Ce poste est idéal pour les candidats disposant d'une solide base technique en physique des dispositifs semi-conducteurs et en simulation, désireux de développer davantage leur expertise dans un environnement R&D collaboratif et de haute technologie.

Alliez-vous une solide formation technique en physique des dispositifs semi-conducteurs à une expérience pratique en simulation et développement technologique ? Êtes-vous motivé à prendre en charge des tâches de développement tout en apprenant et en évoluant continuellement ? Alors nous attendons votre candidature avec impatience.

Comment vous ferez la différence

• Contribuer au développement des puces semi-conductrices de puissance de nouvelle génération, avec un fort accent sur les diodes de puissance en silicium et les technologies de dispositifs associées

• Soutenir le cycle complet de développement technologique et produit, du concept et de la simulation jusqu'à la validation et l'évaluation de la fiabilité

• Appliquer et développer davantage les modèles de simulation TCAD pour comprendre le comportement des dispositifs et optimiser la performance, le rendement et le coût

• Collaborer étroitement avec les ingénieurs procédés, les équipes de caractérisation et de fiabilité, en assurant l'alignement entre la conception et la fabricabilité

• Prendre en charge des lots de travail individuels ou des sous-projets, contribuant aux objectifs et aux délais globaux du projet

• Promouvoir l'amélioration continue par l'analyse basée sur les données, la modélisation et les approches d'optimisation

• Contribuer activement au partage des connaissances au sein de l'équipe et développer une compréhension solide des dispositifs et processus semi-conducteurs à l'échelle système

Votre profil
 

• Master ou doctorat en physique, génie électrique ou domaine connexe, avec une spécialisation en physique des dispositifs semi-conducteurs

• Expérience avérée dans le développement de dispositifs semi-conducteurs de puissance, idéalement avec une exposition aux diodes de puissance en silicium

• Solide expérience pratique avec les outils de simulation TCAD (par ex. Sentaurus, COMSOL)

• Bonne compréhension de la physique des dispositifs semi-conducteurs, de leurs caractéristiques et des processus de développement technologique

• Exposition à la collaboration interfonctionnelle avec les équipes procédés, caractérisation et fiabilité

• Première expérience dans la gestion de tâches techniques ou la supervision de profils juniors est un plus

• Familiarité avec les aspects d'intégration des procédés ou les approches de modélisation est considérée comme un avantage

• Autonome, analytique et désireux d'apprendre et de progresser dans un environnement R&D performant

• Maîtrise de l'anglais avec de solides compétences en communication et présentation